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二極管反向恢復(fù)時(shí)間

二極管反向恢復(fù)時(shí)間是指二極管從正向電流或電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榉聪螂娏骰螂妷簳r(shí)，恢復(fù)到正常導(dǎo)通狀態(tài)所需的時(shí)間。反向恢復(fù)時(shí)間越短，說(shuō)明二極管的反向恢復(fù)能力越強(qiáng)，開關(guān)速度越快。  

碳化硅二極管反向恢復(fù)時(shí)間

碳化硅二極管的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）是指二極管從正向電流或電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榉聪螂娏骰螂妷簳r(shí)，恢復(fù)到正常導(dǎo)通狀態(tài)所需的時(shí)間。反向恢復(fù)時(shí)間越短，說(shuō)明二極管的反向恢復(fù)特性越好。SiC-SBD的反向恢復(fù)時(shí)間比包含Si-FRD在內(nèi)的Si-PND高速。

二極管反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試方法

二極管反向恢復(fù)時(shí)間的測(cè)試方法有多種。其中，一種被廣泛接受的方法是通過測(cè)量起始點(diǎn)和終止點(diǎn)的時(shí)間差來(lái)確定反向恢復(fù)時(shí)間。這個(gè)過程通常被稱為反向恢復(fù)過程，包括存儲(chǔ)時(shí)間和渡越時(shí)間兩部分，總和稱為反向恢復(fù)時(shí)間。此外，也有一種研究方法通過模擬二極管反向恢復(fù)的I-t、V-t變化規(guī)律來(lái)得到不同存儲(chǔ)時(shí)間、恢復(fù)時(shí)間以及正向電流等對(duì)反向恢復(fù)電流的影響。然而，需要注意的是，選擇合適的測(cè)試方法應(yīng)考慮到實(shí)際的應(yīng)用需求和設(shè)備條件。

二極管反向恢復(fù)時(shí)間快慢有什么影響

二極管的反向恢復(fù)時(shí)間快慢對(duì)電路性能有重要影響。如果反向恢復(fù)時(shí)間過長(zhǎng)，則二極管的反向電流會(huì)持續(xù)一段時(shí)間，這可能會(huì)對(duì)其他器件產(chǎn)生干擾，導(dǎo)致電路的失真、噪聲等問題。另一方面，如果反向恢復(fù)時(shí)間過短，也可能導(dǎo)致電路的失真和噪聲等問題。此外，反向恢復(fù)時(shí)間也是由電荷存儲(chǔ)效應(yīng)引起的，反向恢復(fù)時(shí)間就是存儲(chǔ)電荷耗盡所需要的時(shí)間。因此，為了保證電路的穩(wěn)定性和可靠性，需要根據(jù)具體應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的二極管，例如快恢復(fù)二極管 (FRD)因其反向恢復(fù)時(shí)間短、反向恢復(fù)電流小和軟恢復(fù)等特點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用。

二極管反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試

二極管反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試通常需要使用特定的設(shè)備，如DI-1000型二極管反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試儀。這種設(shè)備能夠測(cè)量多種二極管的反向恢復(fù)時(shí)間，其二極管反向電流峰值可達(dá)100A，正向電流為30A，并且具有5nS的測(cè)量精度。此外，該設(shè)備還具有二極管接反、短路開路保護(hù)功能，并能以示波器圖形顯示結(jié)果。

在測(cè)試過程中，二極管在接反向電壓的時(shí)候，兩邊的空穴和電子是不接觸的沒有電流流過，但同時(shí)形成了一個(gè)等效電容。如果這個(gè)時(shí)候改變兩邊的電壓方向，自然有一個(gè)充電的過程，這個(gè)時(shí)間就是二極管反向恢復(fù)時(shí)間。

二極管反向恢復(fù)時(shí)間與溫度的關(guān)系

二極管的反向恢復(fù)時(shí)間與溫度之間存在一定的關(guān)系。在一般情況下，當(dāng)溫度升高時(shí)，反向恢復(fù)時(shí)間會(huì)隨之增長(zhǎng)。這是因?yàn)?，溫度的升高?huì)增加載流子的運(yùn)動(dòng)速度，從而使得存儲(chǔ)在二極管內(nèi)部的電荷更難以被快速地釋放，進(jìn)而導(dǎo)致反向恢復(fù)時(shí)間的延長(zhǎng)。